半导体光电杂志审稿
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半导体光电杂志社投稿须知
(1)来稿文责自负。文稿务必主题明确，论述合理，逻辑严谨，数据可靠，叙述清楚，文字精炼。内容应保守国家秘密，引用他人作品应给出来源。
(2)文稿一般不超过6000字，综述稿不超过8000字，其他类型的稿件酌减。属于综述、研究论文和技术报告的稿件，应附英文题名、作者名、单位名、摘要和关键词。基金项目应注明编号。
(3)摘要应包括目的、方法、结果和结论四个要素，也就是用简洁的语言说明文章要解决的问题，主要工作过程及所采用的技术手段和方法，研究所获得的实验数据、结果及其意义。篇幅以200～250字为宜。
(4)关键词以5～8个为宜。为便于文献检索，应尽可能提供中图分类号。
(5)文中涉及的物理量和计量单位应符合国家有关标准。计量单位请用GB3100-3102-93《量和单位》规定的法定计量单位。注意区分各物理量符号的文种、大、小写、正、斜体(矢量和矩阵用黑斜体)、上、下角标等。
(6)插图和表格应有图题和表题。插图应采用计算机制作，勿用截图。本刊为黑白印刷，请勿用彩色插图。
(7)文稿中引用他人的成果，务请写明原作者姓名、题名、来源,一并在参考文献中给出,并在正文中相应位置进行标示,否则责任由来稿人自负。参考文献只择主要的。文献的著录格式严格按照以下形式书写（含标点符号）：
1)专著：作者.书名.版本(第1版不著录)［M］.出版地:出版者，出版年.起止页码.
2)译著:作者.书名［M］.译者,译.出版地:出版者,出版年:起止页码.
3)期刊:作者.题名［J］.刊名,出版年份,卷(期):起止页码.
4)会议论文集:作者.题名［C］//编者.论文集名.出版地:出版者,出版年:起止页码.
5)学位论文:作者.题名:［学位论文］［D］.保存地:保存者,年份.
6)专利文献:专利申请者.题名.专利国别,专利号［P］.公告日期或公开日期.
7)标准:责任者.标准代号标准名称［S］.出版地:出版者,出版年.
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